特性： 1.高品质因素，高介电常数 20~130 2.接近于零值的谐振频率温度系数，具有优良的温度稳定性 3.基片平整，可到 2 英寸 4.可用于制备单层电容器、薄膜电路、微波介质天线等
应用：主要用于制造微波单层片式电容器、微波薄膜电路等。
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2025-07-04
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